Kā atšķirt PNP un NPN tranzistorus?

1, PNP un NPN tranzistoru pamatstruktūra
PNP tranzistori sastāv no diviem P tipa pusvadītāju materiāliem, kas savieno N tipa pusvadītāju materiālu, veidojot "PNP" izkārtojuma secību. Šajā struktūrā P veida reģions kalpo kā emitētājs (E) un kolektors (C), savukārt N tipa apgabals kalpo par bāzi (B). PNP tranzistori ļauj strāvai plūst no emitera uz kolektoru, kad tie ir novirzīti uz priekšu (ti, emitera spriegums ir augstāks par bāzes spriegumu un bāzes spriegums ir augstāks par kolektora spriegumu).
Atšķirībā no PNP tranzistoriem, NPN tranzistori sastāv no diviem N tipa pusvadītāju materiāliem, kas savieno P tipa pusvadītāju materiālu, veidojot "NPN" izkārtojuma secību. Šeit N tipa reģions kalpo kā emitētājs un savācējs, bet P tipa reģions kalpo par bāzi. NPN tranzistori ļauj strāvai plūst no emitera uz kolektoru, kad tie ir novirzīti uz priekšu (ti, emitera spriegums ir zemāks par bāzes spriegumu un bāzes spriegums ir zemāks par kolektora spriegumu).
2, Darba principu atšķirības
Ja PNP tranzistora bāze ir pozitīvi nospriegota attiecībā pret emitētāju un kolektors ir negatīvi nospriegota attiecībā pret pamatni, caurumi (pozitīvie lādiņnesēji) emitētāja P veida materiālā tiek piesaistīti emitētāja N veida apgabalam. bāze, veidojot bāzes strāvu. Tajā pašā laikā daļa no šiem caurumiem šķērsos bāzes kolektora savienojumu un nonāks kolektora P veida reģionā, veidojot kolektora strāvu. PNP tranzistoru darbības princips ir atkarīgs no caurumu plūsmas un rekombinācijas procesa.
NPN tranzistoru darbības princips ir balstīts uz elektronu (negatīvo lādiņu nesēju) plūsmu. Ja NPN tranzistora bāze ir pozitīvi nospriegota attiecībā pret emitētāju un kolektors ir pozitīvi nospriegota attiecībā pret bāzi, elektroni emitētāja N tipa materiālā tiek piesaistīti bāzes P veida apgabalam, kur tie rekombinējas. ar caurumiem, lai izveidotu bāzes strāvu. Tajā pašā laikā daži no šiem elektroniem šķērsos bāzes kolektora savienojumu un nonāks kolektora N tipa reģionā, veidojot kolektora strāvu. NPN tranzistori nodrošina strāvas pastiprināšanu un pārslēgšanas vadību, izmantojot elektronu plūsmu un rekombināciju.
3, Praktiskās metodes PNP un NPN tranzistoru atšķiršanai
Ievērojiet tapu izvietojumu
Lai gan dažādu ražotāju tranzistoru iepakojuma formas var atšķirties, vispārīgi runājot, PNP un NPN tranzistoru tapu izvietojums atbilst noteiktiem noteikumiem. Parastiem TO-92 iepakotajiem tranzistoriem PNP tranzistoru kontaktu izvietojums parasti ir (no kreisās uz labo): emitētājs (E), bāze (B), kolektors (C); NPN tranzistoru tapu izvietojums parasti ir (no kreisās uz labo): emitētājs (E), bāze (B), kolektors (C). Tomēr šis noteikums nav absolūts, tāpēc praktiskā pielietojumā ir nepieciešams apvienot citas sprieduma metodes.
Izmēriet ar multimetru
Multimetrs ir viens no tiešākajiem un visbiežāk izmantotajiem instrumentiem, lai atšķirtu PNP un NPN tranzistorus. Iestatot multimetru diodes pārbaudes režīmā (vai līdzīgā režīmā), var izmērīt sprieguma kritumu starp tranzistora tapām, lai noteiktu tā veidu. Konkrētā metode ir šāda:
Savienojiet multimetra sarkano zondi (pozitīvo spaili) ar vienu no tranzistora tapām un melno zondi (negatīvo spaili) ar pārējām divām tapām secīgi. Ievērojiet multimetra rādījumu izmaiņas.
PNP tranzistoriem, kad melnā zonde saskaras ar emitētāju un sarkanā zonde saskaras ar bāzi, multimetram ir jāparāda neliels tiešā sprieguma kritums (aptuveni {{0}},6 V līdz 0,7 V), kas norāda, ka emitents bāzes krustojums atrodas uz priekšu novirzītā stāvoklī. Kad melnā zonde saskaras ar kolektoru, kolektora bāzes savienojuma apgrieztā nobīdes stāvokļa dēļ multimetra rādījumam jābūt tuvu bezgalībai.
Attiecībā uz NPN tranzistoriem situācija ir pretēja. Kad sarkanā zonde saskaras ar emitētāju un melnā zonde saskaras ar pamatni, multimetram vajadzētu parādīt nelielu sprieguma kritumu uz priekšu; Kad sarkanā zonde saskaras ar kolektoru, arī multimetra rādījumam jābūt tuvu bezgalībai.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-to-92mod.html