Kāda ir atšķirība starp NPN un PNP tranzistoriem?

1, strukturālās atšķirības
NPN tranzistors: tas sastāv no diviem n - tipa pusvadītāju materiāliem, kas sviestmaizē p - tipa pusvadītāju materiālu, veidojot PNP struktūru. Konkrēti, emitētājs un kolekcionārs ir izgatavoti no n - tipa pusvadītāju materiāliem, savukārt pamatne ir izgatavota no p - tipa pusvadītāju materiāliem. Šī struktūra ļauj NPN tranzistoriem elektroniem plūst no emitētāja uz kolekcionāru uz priekšu aizspriedumu apstākļos, veidojot strāvu.
PNP tranzistors: tas sastāv no diviem p - tipa pusvadītāju materiāliem, kas sviestmaizē n - tipa pusvadītāju materiālu, veidojot NPN struktūru. Emitētājs un kolekcionārs ir izgatavoti no P - tipa pusvadītāju materiāla, un pamatne ir izgatavota no n - tipa pusvadītāju materiāla. Priekšējā aizsprieduma apstākļos caurumi (nevis elektroni) kļūst par galvenajiem lādiņa nesējiem, plūstot no emitētāja uz kolekcionāru.
2, darba princips un polaritāte
NPN tranzistors: uz priekšu aizspriedumu apstākļos PN krustojums starp pamatni un emitētāju darbojas priekšējā virzienā, ļaujot elektroniem ievadīt no emitētāja pamatnē. Sakarā ar plānu pamatni un zemu dopinga koncentrāciju, elektroni izkliedējas un rekombinē ar caurumiem pamatnē, veidojot pamatnes strāvu. Tajā pašā laikā daži elektroni turpina izkliedēties līdz kolektoram un tiek paātrināti, lai savāktu pie kolekcionāra, pateicoties apgrieztā novirzes PN krustojumam starp kolektoru un bāzi, veidojot kolektora strāvu. NPN tranzistora pamatne ir negatīva, emitētājs ir pozitīvs un kolektors ir negatīvs.
PNP tranzistors: tā darba princips ir pretējs NPN tranzistoram. Priekšējā aizsprieduma apstākļos caurumi no emitētāja tiek ievadīti pamatnē un izkliedējas pamatnē. Sakarā ar līdzīgu dopinga koncentrāciju un pamatnes biezumu NPN tranzistoriem, caurumi izkliedējas un rekombinē ar elektroniem pamatnē, veidojot pamatnes strāvu. Tajā pašā laikā daži caurumi turpina izkliedēties līdz kolektoram un tiek paātrināti, lai savāktu pie kolekcionāra, pateicoties apgrieztā novirzes PN krustojumam starp kolektoru un bāzi, veidojot kolektora strāvu. PNP tranzistora pamatne ir pozitīvais elektrods, emitētājs ir negatīvs elektrods, un kolektors ir pozitīvais elektrods.
3, veiktspējas īpašības
Pašreizējā pastiprināšanas spēja: abiem ir strāvas pastiprināšanas funkcija, bet īpašā veiktspēja ir nedaudz atšķirīga. NPN tranzistoriem parasti ir augsts strāvas pastiprināšanas koeficients to augstās elektronu mobilitātes dēļ. No otras puses, PNP tranzistoriem var būt nedaudz zemāka strāvas pastiprināšana, pateicoties to salīdzinoši zemajai caurumu mobilitātei.
Temperatūras stabilitāte: NPN tranzistoriem ir laba stabilitāte vidē ar augstu temperatūru un var normāli darboties plašā temperatūras diapazonā. Turpretī PNP tranzistori ir jutīgāki pret temperatūru un var piedzīvot veiktspējas sadalīšanos augstā temperatūrā.
Trokšņa raksturlielumi: Tiek uzskatīts, ka PNP tranzistoriem ir zemāks trokšņa līmenis noteiktās lietojumprogrammās, kas padara tos izdevīgākus situācijās, kad nepieciešama zema trokšņa veiktspēja. Tomēr tas nenozīmē, ka NPN tranzistori visos gadījumos ir trokšņaini, un īpašajam novērtējumam jābalstās uz shēmas projektēšanu un darbības vidi.
4, lietojumprogrammu scenāriji
NPN tranzistors: Sakarā ar tā augstās strāvas pastiprināšanas koeficientu, labo stabilitāti un uzticamību NPN tranzistorus plaši izmanto elektroniskās shēmās. Pastiprinātāja ķēdēs NPN tranzistori var pastiprināt vājus ieejas signālus un izvadīt lielākas signāla amplitūdas; Switch shēmās NPN tranzistori var ātri ieslēgt ķēdes ieslēgšanas/izslēgšanas stāvokli; Loģikas ķēdēs NPN tranzistori var sasniegt sarežģītas loģikas funkcijas.
PNP tranzistors: Lai arī PNP tranzistori nav tik izcili kā NPN tranzistori dažos aspektos, tiem ir arī nozīmīga loma noteiktos laukos. Piemēram, ķēdēs, kurām nepieciešama zema trokšņa veiktspēja, PNP tranzistori var būt labāka izvēle; PNP tranzistoriem ir arī noteikta lietojumprogrammas vērtība smagās - Duty Motor Control un dažās mikrokontrolleru dizaina lietojumprogrammās.
https://www.trrsemicon.com/transistor/ac {{2 ^